潍坊网站制作熊掌号,wordpress logo在哪里改,蚌埠大建设及棚户区改造官方网站,佛山建设外贸网站公司吗MOSFET驱动
MOSFET场效应管是电压驱动器件#xff0c;输入有电容#xff0c;因此为可靠驱动MOSFET#xff0c;栅极需要施加较大的驱动电流。
功率MOSFET开关模型
该模型显示了影响开关性能的最重要的寄生器件。
栅极所需驱动电流计算公式
一个很重要的参数是计算栅极驱…MOSFET驱动
MOSFET场效应管是电压驱动器件输入有电容因此为可靠驱动MOSFET栅极需要施加较大的驱动电流。
功率MOSFET开关模型
该模型显示了影响开关性能的最重要的寄生器件。
栅极所需驱动电流计算公式
一个很重要的参数是计算栅极驱动电流必须的Qg IgQg/t 或 IgQg*F 这2个公式实质是一样的时间和频率互为倒数所以一个乘另一个除实际使用根据需要任选一个即可。 Ig栅极驱动电流 Qg总栅极电荷向栅极施加电压从零电压到指定电压的电荷量 tMOSFET场效应管开启-关闭的时间 FMOSFET场效应管的开关频率
栅极峰值驱动电流会在瞬间使CISS充电或放电然后在MOS开关开通时减小。 务必注意即使在高温下驱动强度也不会显著降低。 在高温下功率 MOSFET 内部栅极电阻会增加这会减慢开启和关闭速度。功率 MOSFET 的缓慢开启和关闭可能会导致开关损耗增加。因此在比较两个栅极驱动器时务必注意最大推荐工作温度下的驱动电流能力。
栅极驱动电流调整
在输出足以驱动MOSFET的情况下可通过R栅极电阻来调节驱动电流 外部栅极电阻器这个栅极电阻的值会极大地影响系统的性能。例如如果系统使用 20Ω 外部栅极电阻器则无论在 10V 偏置电压下使用 2A 还是 3A 栅极驱动器系统性能都可能不会受到显著影响。还需要注意的是即使由于驱动电流能力的差异较大而导致系统性能存在差异也可以通过调整栅极电阻值来弥补这种差异。例如可以将 3A 驱动器的10Ω 栅极电阻器更改为 2A 栅极驱动器的较低值电阻器或 4A 驱动器的较高值电阻器以实现相同的功率器件上升和下降时间。
栅极驱动电压
N沟低压驱动的MOSFET根据需要在栅极施加2-5V电压可驱动具体需要查询规格书以及你可以接受的RDS来确定。 N沟较大功率的MOSFET通常需要施加10-15V的驱动电压VGS以够用为宜超过阈值以后VGS的增加RDS减小并不明显提高VGS意味着需要更大的驱动功率驱动电流相同情况下。 对于一些 MOSFET栅极驱动电压超过 8V 至 10V 并不会进一步减小 MOSFET 电阻RDS-ON。 10V 栅极驱动电压时功耗相比12V栅极电压减小了 16% 从 12V 减小至 10V而得到的由栅极驱动的功耗减小了 28%。进一步可以看到由于栅极电压减小也降低了交越传导损耗。
AO3400参数
30V N沟MOSFET ID (at VGS10V) 5.7A RDS(ON) (at VGS10V) 26.5mΩ RDS(ON) (at VGS 4.5V) 32mΩ RDS(ON) (at VGS 2.5V) 48mΩ
AO3400A栅极驱动电流计算
根据规格书查询到表格和图中在VGS4.5V, VDS15V, ID5.7A时Qg典型值为6nC需要注意Qg是根据VDS和负载电流变化的 设开关频率为100Khz换算为0.1Mhz这样计算结果为mA则6nC*0.1Mhz0.6mA所以在频率不高的情况下3400还是很容易驱动的因为Qg很小。
AO3400A总栅极电荷Qg AO3400栅极电荷特性 NCE7560K参数
这个MOSFET是国产的参数优秀RDS比AO3400还小。 N沟增强形MOSFET VDS75VID60A VGS10VRDS(ON)8.5mΩ VGS10V
NCE7560K参数表 NCE7560K栅极驱动电流计算
根据规格书查询到表格和图中在VGS10V, VDS130V, ID30A时Qg典型值为100nC需要注意Qg是根据Vds和负载电流变化的 设开关频率为100Khz换算为0.1Mhz这样计算结果为mA则100nC*0.1Mhz10mA该管Qg较小驱动频率不高所以驱动电流不大。 通过这2个例子可以看出栅极所需驱动电流计算还是简单的。
NCE7560K总栅极电荷
总栅极电荷典型值为100nC
NCE7560K栅极电荷特性
